IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =80 O Ц

615

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж =150 O Ц

2358

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.15

2.60

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.65

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

5.7

6.2

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

26.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.68

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.18

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

392

н

t R

Күтерілу уақыты

129

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t F

Күз мезгілі

143

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

8.40

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

37.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

395

н

t R

Күтерілу уақыты

135

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

604

н

t F

Күз мезгілі

154

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

12.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

42.7

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =125 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.85

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =400А,

-di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

35.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

246

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

17.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =400А,

-di/dt=2840A/μs,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

56.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

312

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

26.3

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.053

0.103

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.048

0.094

0.032

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

350

g