IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

483

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

1612

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =60 O Ц

372

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

920

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =7.50 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

21.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.20

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

2.60

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

182

н

t R

Күтерілу уақыты

54

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

464

н

t F

Күз мезгілі

72

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

10.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

25.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

193

н

t R

Күтерілу уақыты

54

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

577

н

t F

Күз мезгілі

113

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

16.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

38.6

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

203

н

t R

Күтерілу уақыты

54

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

618

н

t F

Күз мезгілі

124

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

18.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

43.3

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I Ц =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.65

2.10

V

I Ц =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.65

I Ц =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V CC = 600В,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V ГЭ =-15V, t ж =25 O Ц

29

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

318

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

18.1

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V CC = 600В,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V ГЭ =-15V, t ж = 125O Ц

55

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

371

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

28.0

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V CC = 600В,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V ГЭ =-15V, t ж = 150O Ц

64

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

390

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

32.8

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.45

1.90

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.60

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

1.70

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,8 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.1

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

17.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.51

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ﹍+15В

2.88

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

88

н

t R

Күтерілу уақыты

40

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

294

н

t F

Күз мезгілі

43

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.34

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

8.60

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

96

н

t R

Күтерілу уақыты

48

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

312

н

t F

Күз мезгілі

60

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.86

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

10.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

104

н

t R

Күтерілу уақыты

48

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

318

н

t F

Күз мезгілі

60

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.98

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.3

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =360В, V КЕМ ≤650В

1500

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.55

1.95

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.50

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.45

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

14.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

209

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.74

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V ГЭ =-15В t ж =125 O Ц

26.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

259

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

6.82

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V ГЭ =-15В t ж =150 O Ц

30.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

275

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

7.70

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша), Т2 IGBT)

Қалқаға қосылу (D1,D2 Dio бойынша) de)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша), Т4 IGBT)

Қаптамаға қосылу (D3,D4 Dio бойынша) de)

0.093

0.158

0.163

0.299

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1,T2 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D1,D2 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T3,T4 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D3,D4 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

340

g