IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

540

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

1948

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =80 O Ц

415

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

1086

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.00

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.10

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

21.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.98

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.80

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

250

н

t R

Күтерілу уақыты

90

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t F

Күз мезгілі

130

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

17.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

29.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

300

н

t R

Күтерілу уақыты

100

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

650

н

t F

Күз мезгілі

180

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

25.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

44.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

320

н

t R

Күтерілу уақыты

100

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

680

н

t F

Күз мезгілі

190

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

27.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48.5

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.65

2.10

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.65

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

30.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

210

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

14.0

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

56.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

270

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

26.0

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 600В,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

62.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

290

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

28.5

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.45

1.90

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.60

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

1.70

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,8 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.1

5.8

6.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

18.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.55

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15В ...+15В

3.22

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

110

н

t R

Күтерілу уақыты

50

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

490

н

t F

Күз мезгілі

50

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.13

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

9.83

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

120

н

t R

Күтерілу уақыты

60

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

520

н

t F

Күз мезгілі

70

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

3.10

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

12.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =300A, R g =2,4Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

130

н

t R

Күтерілу уақыты

60

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

530

н

t F

Күз мезгілі

70

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

3.30

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

12.5

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =360В, V КЕМ ≤650В

1500

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.55

2.00

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.50

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.45

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

13.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

190

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.40

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

24.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

235

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

6.20

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

V R = 300В,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

28.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

7.00

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша), Т2 IGBT)

Қалқаға қосылу (D1,D2 Dio бойынша) de)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша), Т4 IGBT)

Қаптамаға қосылу (D3,D4 Dio бойынша) de)

0.077

0.141

0.138

0.237

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1,T2 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D1,D2 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T3,T4 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D3,D4 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

К/W

м

Монументтік момент, М6 бұрандасы

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5

3.0

2.5

6.0

5.0

Н.М