IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD1200SGL120C3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор тогы

@ Т Ц =25 °C

@ Т Ц = 100°C

1900

А

1200

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

2400

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

1200

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

2400

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 175°C

8823

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t ж

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В, t=10ms, T ж =125 °C

300

kA 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

V

Орнату

Торк

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M8

1.7 дейін 2.3

8,0-ден 10

Н.М

Орнату Шраф:M6

4.25-ге дейін 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

BV CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

800

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =48.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.5

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.9

V

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.1

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

t ж =25 °C

1.2

Ω

Q ГЭ

Қақпалық төлем

I Ц = 1200A,V CE =600В, V ГЭ =- 15...+15В

12.5

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =1200A,

R g =0.82Ω,V ГЭ = ± 15В, t ж =25 °C

790

н

t R

Күтерілу уақыты

170

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1350

н

t F

Күз мезгілі

180

н

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =1200A,

R g =0.82Ω,V ГЭ = ± 15 V,

t ж = 125°C

850

н

t R

Күтерілу уақыты

170

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1500

н

t F

Күз мезгілі

220

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу жоғалту

155

МЖ

E Ашылған

Ашылғанда ауысу шығыны

190

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В, f=1МГц,

V ГЭ =0В

92.0

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

8.40

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

6.10

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ =15В, t ж =125 °C ,

V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

7000

А

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC + EE ’

Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке

t Ц =25 °C ,переключатель

0.10

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 1200A

t ж =25 °C

1.9

V

t ж = 125°C

2.1

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F = 1200А,

V R =600В,

di/dt=-6800A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

110

μC

t ж = 125°C

220

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

760

А

t ж = 125°C

990

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

47

МЖ

t ж = 125°C

82

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe) r Модулі)

0.017

К/W

R θ ЖК

Junction-to-Case (Диод бөлімі, модуль бойынша le)

0.025

К/W

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

(Жегілген өткізгіш май, Модуль)

0.006

К/W

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

1500

g