IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD300SGL120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц = 100°C

600

А

300

I CM (1)

Импульстік коллекторлы керре н

600

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

300

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

600

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 175°C

3000

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ж

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В, t=10ms, T ж =125 °C

19000

А 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

V

Қою моментi

Сигнал терминалы Шраф:M4

1. 1-ден 2.0

Н.М

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейін 5.0

Орнату Шраф:M6

3 дейін 6

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

BV CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц = 12mA,V CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.9

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.1

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A,

90

н

t R

Күтерілу уақыты

R g =4.7Ω, V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

55

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

460

н

t F

Күз мезгілі

V CC = 600В,I Ц =300A,

R g =4.7Ω, V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

28

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

25

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =300A, R g =4.7Ω, V ГЭ = ± 15 V, t ж = 125°C

110

н

t R

Күтерілу уақыты

60

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t F

Күз мезгілі

60

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

31

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

27

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В, f=1МГц,

V ГЭ =0В

21

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.9

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс, V ГЭ =15 V, t ж =125 °C , V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1300

А

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A

t ж =25 °C

2.0

2.4

V

t ж = 125°C

2.2

2.5

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F =300A,

V R =600В,

di/dt=-2400A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

27

μC

t ж = 125°C

50

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

120

А

t ж = 125°C

170

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

9

МЖ

t ж = 125°C

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe) r Модулі)

0.06

К/W

R θ ЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша) е)

0.12

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

310

g