IGBT Дискретті

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

VCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IЦ

Коллектор токы @ TЦ=25OC @ TЦ=100OЦ

150

75

А

ICM

Импульстік Жинақтаушы Жүк  tp  шектеулі Қатысушылар tvjmax

225

А

pD

Максималды қуаттылықvj=175OЦ

852

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

VРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарайрент

75

А

IFm

Импульстік Жинақтаушы Жүк  tp  шектеулі Қатысушылар tvjmax

225

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

tvjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

OЦ

tЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

OЦ

tс

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 ммүшін 10 секунд

260

OЦ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IЦ=75А,ВГЭ=15В, tvj=25OЦ

1.75

2.20

V

IЦ=75А,ВГЭ=15В, tvj=150OЦ

2.10

IЦ=75А,ВГЭ=15В, tvj=175OЦ

2.20

VГЭ(th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IЦ=3,00mА,VCE=VГЭ, tvj=25OЦ

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек-АшылғанЖүк

VCE=VCES,VГЭ=0В, tvj=25OЦ

250

μA

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

VГЭ=VГЭС,VCE=0В,tvj=25OЦ

100

nA

RГинт

Ішкі қақпа кедергісі

2.0

Ω

Цлар

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25V,f=100kHz, VГЭ=0В

6.58

НФ

Цлық

Шығарылымдық сыйымдылық

0.40

Цре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.19

НФ

Qg

Қақпалық төлем

VГЭ=-15...+15В

0.49

μC

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=75А,    Rg=4.7Ω,

VГЭ=±15В, Ls=40nH,

tvj=25OЦ

41

н

tR

Күтерілу уақыты

135

н

td(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

87

н

tF

Күз мезгілі

255

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.5

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.6

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=75А,    Rg=4.7Ω,

VГЭ=±15В, Ls=40nH,

tvj=150OЦ

46

н

tR

Күтерілу уақыты

140

н

td(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

164

н

tF

Күз мезгілі

354

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.3

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=75А,    Rg=4.7Ω,

VГЭ=±15В, Ls=40nH,

tvj=175OЦ

46

н

tR

Күтерілу уақыты

140

н

td(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

167

н

tF

Күз мезгілі

372

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.7

МЖ

ISC

SC деректері

tp≤ 10 мкм,VГЭ=15В,

tvj=175OC,VCC=800V, VКЕМ≤ 1200В

300

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

VF

Алға қарай диод Кернеу

IF=75А,ВГЭ=0В,Тvj=25OЦ

1.75

2.20

V

IF=75А,ВГЭ=0В,Тvj=150OЦ

1.75

IF=75А,ВГЭ=0В,Тvj=175OЦ

1.75

trr

Диод кері  қалпына келтіру уақыты

VR= 600В,IF=75А,

-di/dt=370A/μs,VГЭ=-15V, Ls=40nH,

tvj=25OЦ

267

н

QR

Алынған айыппұл

4.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

22

А

Eрек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.1

МЖ

trr

Диод кері  қалпына келтіру уақыты

VR= 600В,IF=75А,

-di/dt=340A/μs,VГЭ=-15V, Ls=40nH,

tvj=150OЦ

432

н

QR

Алынған айыппұл

9.80

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

33

А

Eрек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.7

МЖ

trr

Диод кері  қалпына келтіру уақыты

VR= 600В,IF=75А,

-di/dt=320A/μs,VГЭ=-15V, Ls=40nH,

tvj=175OЦ

466

н

QR

Алынған айыппұл

11.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

35

А

Eрек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.1

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

RТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)Құрамына байланысты (D-ға)йод)

0.176 0.371

К/W

RТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W