IGBT Дискретті

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

VCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IЦ

Коллектор токы @ TЦ=25OЦ

@ ТЦ= 110OЦ

50

25

А

ICM

Импульсны коллектор токы tpT бойынша шектелгенjmax

100

А

pD

Максималды қуаттылықж=175OЦ

573

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

OЦ

tЖТГ

Сақтау температурасыДиапазон

-55-ден +150-ге дейін

OЦ

tс

Дәнекерлеу температурасы,1.6mm from корпус үшін 10 секунд

260

OЦ

м

Монументтік момент, Болт M3

0.6

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IЦ=25A,VГЭ=15В,

tж=25OЦ

1.70

2.15

V

IЦ=25A,VГЭ=15В,

tж=125OЦ

1.95

IЦ=25A,VГЭ=15В,

tж=150OЦ

2.00

VГЭ(th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IЦ=0.63mА,VCE=VГЭ, tж=25OЦ

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек-Ашылған

Жүк

VCE=VCES,VГЭ=0В,

tж=25OЦ

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

VГЭ=VГЭС,VCE=0В,tж=25OЦ

400

nA

RГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

0

Ω

Цлар

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VГЭ=0В

2.59

НФ

Цре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.07

НФ

Qg

Қақпалық төлем

VГЭ=-15...+15В

0.19

μC

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=25A,   Rg=20Ω,VГЭ=±15В, tж=25OЦ

28

н

tR

Күтерілу уақыты

17

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

196

н

tF

Күз мезгілі

185

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.71

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

1.49

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=25A,   Rg=20Ω,VГЭ=±15В, tж=125OЦ

28

н

tR

Күтерілу уақыты

21

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

288

н

tF

Күз мезгілі

216

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.57

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.21

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=25A,   Rg=20Ω,VГЭ=±15В, tж=150OЦ

28

н

tR

Күтерілу уақыты

22

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

309

н

tF

Күз мезгілі

227

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.78

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.42

МЖ

ISC

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tж=150OC,VCC= 900В, VКЕМ≤ 1200В

100

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

VF

Алға қарай диод

Кернеу

IF=25A,VГЭ=0В,Тж=25OЦ

2.20

2.65

V

IF=25A,VГЭ=0В,Тж= 125OЦ

2.30

IF=25A,VГЭ=0В,Тж= 150OЦ

2.25

QR

Алынған айыппұл

VR= 600В,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15В tж=25OЦ

1.43

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

34

А

Eрек

Қайта қалпына келтіруэнергия

0.75

МЖ

QR

Алынған айыппұл

VR= 600В,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15В tж= 125OЦ

2.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

42

А

Eрек

Қайта қалпына келтіруэнергия

1.61

МЖ

QR

Алынған айыппұл

VR= 600В,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15В tж= 150OЦ

2.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

44

А

Eрек

Қайта қалпына келтіруэнергия

2.10

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

RТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

0.262

0.495

К/W

RТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W