IGBT Дискретті

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =135 O Ц

240

120

А

I CM

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі Қатысушылар t jmax

360

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

893

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

650

V

I F

Диоданың үздіксіз алға ағымдағы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =80 O Ц

177

120

А

I Fm

Диод Максимум Алға Жүк t p шектеулі Қатысушылар t jmax

360

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

O Ц

t с

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

O Ц

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =120A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.40

1.85

V

I Ц =120A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

1.70

I Ц =120A,V ГЭ =15В, t ж =175 O Ц

1.75

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =1.92 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.1

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

250

uA

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

200

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

/

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

14.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.42

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.86

uC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R g =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L с =40 nH ,t ж =25 O Ц

68

н

t R

Күтерілу уақыты

201

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

166

н

t F

Күз мезгілі

54

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.19

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.56

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R g =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L с =40 nH ,t ж =150 O Ц

70

н

t R

Күтерілу уақыты

207

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

186

н

t F

Күз мезгілі

106

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.70

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.89

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R g =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L с =40 nH ,t ж =175 O Ц

71

н

t R

Күтерілу уақыты

211

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

195

н

t F

Күз мезгілі

139

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.80

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.98

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =300В, V КЕМ ≤650В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.65

2.10

V

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.60

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц

1.60

t рр

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L с =40 nH ,t ж =25 O Ц

184

н

Q R

Алынған айыппұл

1.65

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

17.2

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

0.23

МЖ

t рр

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L с =40 nH ,t ж =150 O Ц

221

н

Q R

Алынған айыппұл

3.24

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

23.1

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

0.53

МЖ

t рр

Диод кері қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L с =40 nH ,t ж =175 O Ц

246

н

Q R

Алынған айыппұл

3.98

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

26.8

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

0.64

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.168 0.369

К/W

R ТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W