GD900SGY120C2S, IGBT Модулі, STARPOWER

IGBT Модулі 1200V

GD900SGY120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

1200В 900А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD900SGY120C2S

Кіріспе
Нысан

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200V 600A.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Үлгілік Қолданбалар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц = 100O Ц	1410 900	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	1800	А
p D	Максималды қуаттылық =175 O Ц	5000	W

Диод

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V РРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	900	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	1800	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	4000	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.80	2.25	V
		I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц		2.10
		I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.15
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =22.5 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			0.6		Ω
Q g	Қақпалық төлем	V ГЭ =- 15В...+15В		7.40		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =25 O Ц		257		н
t R	Күтерілу уақыты			96		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			628		н
t F	Күз мезгілі			103		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			43		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			82		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 125O Ц		268		н
t R	Күтерілу уақыты			107		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			659		н
t F	Күз мезгілі			144		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			59		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			118		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =900A, R Қон = 1.5Ω,R Гофф =0,9Ω, V ГЭ =±15В,Т ж = 150O Ц		278		н
t R	Күтерілу уақыты			118		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			680		н
t F	Күз мезгілі			155		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			64		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			134		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		3600		А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.71	2.16	V
		I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц		1.74
		I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц		1.75
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц		76		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			513		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			38.0		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц		143		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			684		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			71.3		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц		171		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			713		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			80.8		МЖ

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік			20	nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.18		mΩ
R ТЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.030 0.052	К/W
R ТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.016 0.027 0.010		К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		300		g