IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=80лыc

1350

900

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=150лыc

7.40

кв

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

900

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.90

3.35

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

3.60

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.0

6.1

7.0

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

53.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

3.40

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

8.56

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

90

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

81

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

55

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

36.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

41.3

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

115

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

92

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

66

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

52.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

59.4

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=125лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

5200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 800А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.95

2.40

v

if= 800А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=800А,

-di/dt=9500A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

56

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

550

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

38.7

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=800А,

-di/dt=9500A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

148

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

920

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

91.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

12

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.19

Ауысу

mΩ

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

16.9

26.2

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

Ауысу

19.7

30.6

Ауысу

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға

Ауысу

6.0

Ауысу

K/kW

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

1.8

8.0

4.25

Ауысу

2.1

10

5.75

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

1500

Ауысу

g