GD900HFX120P1SA, IGBT Модулі, 1200V 900A, STARPOWER

IGBT Модулі 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT Модулі,1200V 900A,STARPOWER

IGBT Модулі，1200V 900A

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD900HFX120P1SA

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

Төмен Vлы(тұрып)АуысуТренчАуысуIGBTАуысутехнология
10 мкмАуысуҚысқа тұйықталу қабілетілық
vлы(тұрып)АуысужәнеАуысуоңАуысутемпературасыАуысукоэффициенті
ең көпАуысуБайланыс температурасыАуысу175лыc
Төмен индуктивтілікАуысужағдай
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
Жоғары қуатты және жылу циклін өткізуге қабілеттілық

ҮлгілікАуысуқосымшалар

Жоғары қуат конвертері
Күн энергиясы
Гибридтік және электрлік көлік

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

IGBT

Ауысу

Символ	сипаттама	мәндері	бірлік
vCES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	v
vГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	± 20	v
ic	Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=Ауысу100лыc	1522 900	a)
iсм	Импульстік коллектор тогы tp=1 мс	1800	a)
pd	Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc	5.24	кв

Диод

Ауысу

Символ	сипаттама	мәндері	бірлік
vРРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	v
if	Диодты үздіксіз алға бұружалға алу	900	a)
iм-ге	Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс	1800	a)

Модуль

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
tjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	лыc
tжіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	лыc
tЖТГ	сақтау температурасыАуқымы	-40-дан +125-ге дейін	лыc
vISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут	4000	v

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан)	Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc	Ауысу	1.70	2.15	Ауысу Ауысу v
		ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc	Ауысу	1.95	Ауысу
		ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc	Ауысу	2.00	Ауысу
vГЭ(лық)	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу	ic=22.5ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc	5.2	6.0	6.8	v
iCES	ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды	vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	1.0	ана
iГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды	vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	400	н
rГинт	Ішкі қақпаның кедергісілық	Ауысу	Ауысу	0.63	Ауысу	О
cлар	Кіріс сыйымдылығы	vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В	Ауысу	93.2	Ауысу	НФ
cре	Кері ауыстыру Қуаттылық	vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В	Ауысу	2.61	Ауысу	НФ
qg	Қақпалық төлем	vГЭ=-15Ауысу_ _ _ _ _ _ _ _+15В	Ауысу	6.99	Ауысу	μC
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc	Ауысу	214	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	150	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	721	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	206	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	76	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	128	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc	Ауысу	235	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	161	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	824	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	412	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	107	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	165	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc	Ауысу	235	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	161	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	876	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	464	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	112	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	180	Ауысу	МЖ
Ауысу isc	Ауысу SC деректері	tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В	Ауысу	Ауысу 3600	Ауысу	Ауысу a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу vf	Алға қарай диод кернеу	if=900A,VГЭ=0В,Тj=25лыc	Ауысу	1.90	2.25	Ауысу v
		if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc	Ауысу	1.85	Ауысу
		if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc	Ауысу	1.80	Ауысу
qr	Алынған айыппұл	vr= 600В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc	Ауысу	86	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	475	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	36.1	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr= 600В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc	Ауысу	143	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	618	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	71.3	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr= 600В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc	Ауысу	185	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	665	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	75.1	Ауысу	МЖ

Ауысу

НТКАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
r25	Атаулы кедергі	Ауысу	Ауысу	5.0	Ауысу	kΩ
ΔR/R	АуыспалыАуысулықАуысуr100	tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω	-5	Ауысу	5	%
p25	қуаттылығы шашырау	Ауысу	Ауысу	Ауысу	20.0	мв
b25/50	B-құндылығы	r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3375	Ауысу	k
b25/80	B-құндылығы	r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3411	Ауысу	k
b25/100	B-құндылығы	r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3433	Ауысу	k

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Менлы	Айналадағы индуктивтілік	Ауысу	18	Ауысу	nH
rCC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке	Ауысу	0.30	Ауысу	mΩ
rТЖК	Қатысу (IGB бойынша)Т) Құрамына байланысты (D-ға)йод)	Ауысу	Ауысу	28.6 51.9	K/kW
Ауысу rТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)	Ауысу	14.0 25.3 4.5	Ауысу	K/kW
Ауысу м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5	1.8 8.0 3.0	Ауысу	2.1 10 6.0	Ауысу n.m
g	салмағыАуысулықАуысуМодуль	Ауысу	825	Ауысу	g