IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

1250

800

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

1600

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

4166

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

800

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1600

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 800А,В ГЭ = 15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц = 800А,В ГЭ = 15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц = 800А,В ГЭ = 15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =32,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.0

5.7

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.13

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

79.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

2.40

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ = 15В

4.80

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R g = 1,0Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

408

н

t R

Күтерілу уақыты

119

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

573

н

t F

Күз мезгілі

135

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

21.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

72.4

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R g = 1,0Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

409

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

632

н

t F

Күз мезгілі

188

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

26.4

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

107

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R g = 1,0Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

410

н

t R

Күтерілу уақыты

123

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

638

н

t F

Күз мезгілі

198

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

28.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

112

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ = 15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

3200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.85

I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.85

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=6700A/μs,

V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

81.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

518

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

39.4

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=6700A/μs,

V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

136

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

646

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

65.2

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =800А,

-di/dt=6700A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

155

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

684

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

76.6

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.18

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.036

0.048

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.123

0.163

0.035

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g