IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD800HFT120C3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

1400

800

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

1600

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

@ Т Ц =80 °C

800

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1600

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

4.2

кВт

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =32,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R Қон =3,3Ω,

R Гофф = 0,39Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =25 °C

605

н

t R

Күтерілу уақыты

225

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

830

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

/

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

/

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =800А, R Қон =3,3Ω,

R Гофф = 0,39Ω,

V ГЭ =±15В,Т ж =125 °C

670

н

t R

Күтерілу уақыты

220

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

960

н

t F

Күз мезгілі

175

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

161

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

124

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

57.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

3.02

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

2.62

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

3200

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.25

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =800A

t ж =25 °C

1.65

2.10

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =800А,

V R =600В,

R Қон =0,9Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

86

μC

t ж =125 °C

160

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

560

А

t ж =125 °C

720

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

38.0

МЖ

t ж =125 °C

70.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

35.6

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

62.0

K/kW

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

6

K/kW

Салмақ

Салмақ Модуль

1500

g