IGBT Модулі,1200V 800A
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | сипаттама | GD800HFT120C3S | бірліктері |
vCES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | v |
vГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ± 20 | v |
ic | Жинағыш тоғысы @tc=25°C @ Тc=80°C | 1400 800 | a) |
iсм | Импульстік коллектор тогы tp= 1мс | 1600 | a) |
if | Диодты үздіксіз алға бұружалға алу @ Тc=80°C | 800 | a) |
iм-ге | Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс | 1600 | a) |
pd | Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C | 4.2 | кв |
tjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | °C |
tЖТГ | сақтау температурасыдиапазоны | -40-дан +125-ге дейін | °C |
vISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут | 2500 | v |
орнатуАуысуқозғалтқыш күші | Сигнал терминалының бұрандасы:M4 | 1.8 дейінАуысу2.1 | Ауысу |
Қуат терминалының бұрандасы:M8 | 8,0-денАуысу10 | n.m | |
Тіркемелік бұранда:M6 | 4.25-тен 5.75 | Ауысу |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуIGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Белгілері
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
v(BR)CES | Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі | tj=25°C | 1200 | Ауысу | Ауысу | v |
iCES | ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды | vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C | Ауысу | Ауысу | 5.0 | ана |
iГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды | vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | Ауысу | 400 | н |
Өздік ерекшеліктері туралы
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
vГЭ(лық) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу | ic=32,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) | Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | 1.70 | 2.15 | Ауысу v |
ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C | Ауысу | 2.00 | Ауысу |
Өзгерту сипаттамалары
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу vCC= 600В,Ic=800А,АуысуrҚон=3,3Ω, rГофф= 0,39Ω, vГЭ=±15В,Тj=25°C | Ауысу | 605 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 225 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 830 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 155 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | / | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | / | Ауысу | МЖ | |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу vCC= 600В,Ic=800А,АуысуrҚон=3,3Ω, rГофф= 0,39Ω, vГЭ=±15В,Тj=125°C | Ауысу | 670 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 220 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 960 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 175 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту | Ауысу | 161 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 124 | Ауысу | МЖ | |
cлар | Кіріс сыйымдылығы | vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В | Ауысу | 57.7 | Ауысу | НФ |
cлық | Шығарылымдық сыйымдылық | Ауысу | 3.02 | Ауысу | НФ | |
cре | Кері ауыстыру Қуаттылық | Ауысу | 2.62 | Ауысу | НФ | |
Ауысу isc | Ауысу SC деректері | tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV, tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В | Ауысу | Ауысу 3200 | Ауысу | Ауысу a) |
rГинт | Ішкі қақпаның кедергісілық | Ауысу | Ауысу | 1.25 | Ауысу | О |
Менлы | Айналадағы индуктивтілік | Ауысу | Ауысу | 20 | Ауысу | nH |
Ауысу rCC+EE | Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке | Ауысу | Ауысу | Ауысу 0.18 | Ауысу | mΩ |
Ауысу
Ауысу
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері | |
vf | Алға қарай диод кернеу | if=800A | tj=25°C | Ауысу | 1.65 | 2.10 | v |
tj=125°C | Ауысу | 1.65 | Ауысу | ||||
qr | Қайта қалпына келтірілген айыппұл | if=800А, vr=600В, rҚон=0,9Ω, vГЭ=-15В | tj=25°C | Ауысу | 86 | Ауысу | μC |
tj=125°C | Ауысу | 160 | Ауысу | ||||
irm | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | tj=25°C | Ауысу | 560 | Ауысу | a) | |
tj=125°C | Ауысу | 720 | Ауысу | ||||
ерек | Қайта қалпына келтіруэнергия | tj=25°C | Ауысу | 38.0 | Ауысу | МЖ | |
tj=125°C | Ауысу | 70.0 | Ауысу |
Жылу сипаттамаларыics
Символ | параметр | Тип. | ең көп. | бірліктері |
rθЖК | Қатысу (IGB бойынша)Т) | Ауысу | 35.6 | K/kW |
rθЖК | Құрамына байланысты (D-ға)йод) | Ауысу | 62.0 | K/kW |
rθКС | Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік) | 6 | Ауысу | K/kW |
салмағы | салмағыАуысуМодуль | 1500 | Ауысу | g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.