IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD800HFT120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=80°C

1400

800

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

1600

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

@ Тc=80°C

800

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

4.2

кв

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейінАуысу2.1

Ауысу

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-денАуысу10

n.m

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=32,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,АуысуrҚон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

605

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

225

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

830

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,АуысуrҚон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vГЭ=±15В,Тj=125°C

Ауысу

670

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

220

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

960

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

175

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

161

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

124

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

57.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

3.02

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.62

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

3200

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.25

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=800A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.10

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=800А,

vr=600В,

rҚон=0,9Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

86

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

160

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

560

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

720

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

38.0

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

70.0

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

35.6

K/kW

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

62.0

K/kW

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

6

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1500

Ауысу

g