IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =80 O Ц

1050

800

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1600

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

4.85

кВт

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

800

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1600

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.50

2.95

V

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

3.00

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

3.10

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =32,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.4

7.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

54.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.84

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

6.2

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =800А, R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

235

н

t R

Күтерілу уақыты

110

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

390

н

t F

Күз мезгілі

145

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

216

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

152

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =800А, R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

250

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

475

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

280

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

232

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =800А,

R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

254

н

t R

Күтерілу уақыты

125

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t F

Күз мезгілі

160

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

312

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

256

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

2480

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 800А,В ГЭ =0В, Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 800А,В ГЭ =0В, Т ж = 125O Ц

1.95

I F = 800А,В ГЭ =0В, Т ж = 150O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=8400A/μs,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

232

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

720

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

134

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=8400A/μs,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

360

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

840

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

222

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=8400A/μs,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

424

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

880

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

259

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.37

mΩ

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

30.9

49.0

K/kW

R θ КС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

19.6

31.0

K/kW

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

6.0

K/kW

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

1500

g