GD800HFL170C3S, IGBT модулі, 1700V 800A, STARPOWER

IGBT Модулі 1700V

GD800HFL170C3S,IGBT модулі, 1700В 800А,Стартпоуэр

GD800HFL170C3S,IGBT модулі, 1700В 800А,Стартпоуэр

IGBT Модулі，1700V 800A

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD800HFL170C3S

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

Төмен VCE(sat) SPT+IGBTтехнология
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
VCE (sat)жәнеоңтемпературасыкоэффициенті
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

Жоғары қуаттылық конвертерлері
Көлік жүргізушілер
Жел турбиналары

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

IGBT

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
vCES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	v
vГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	± 20	v
ic	Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=80лыc	1050 800	a)
iсм	Импульстік коллектор тогы tp=1 мс	1600	a)
pd	Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc	4.85	кв

Диод

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
vРРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1700	v
if	Диодты үздіксіз алға бұружалға алу	800	a)
iм-ге	Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс	1600	a)

Модуль

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
tjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	лыc
tжіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	лыc
tЖТГ	сақтау температурасыАуқымы	-40-дан +125-ге дейін	лыc
vISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут	4000	v

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан)	Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc	Ауысу	2.50	2.95	Ауысу Ауысу v
		ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc	Ауысу	3.00	Ауысу
		ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc	Ауысу	3.10	Ауысу
vГЭ(лық)	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу	ic=32,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc	5.4	Ауысу	7.4	v
iCES	ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды	vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	5.0	ана
iГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды	vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	400	н
cлар	Кіріс сыйымдылығы	vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В	Ауысу	54.0	Ауысу	НФ
cре	Кері ауыстыру Қуаттылық	vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В	Ауысу	1.84	Ауысу	НФ
qg	Қақпалық төлем	vГЭ=-Ауысу15...+15В	Ауысу	6.2	Ауысу	μC
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω, vГЭ=±15В,tj=25лыc	Ауысу	235	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	110	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	390	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	145	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	216	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	152	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc	Ауысу	250	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	120	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	475	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	155	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	280	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	232	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=800А,Ауысу rg=Ауысу1,5Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc	Ауысу	254	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	125	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	500	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	160	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	312	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	256	Ауысу	МЖ
Ауысу isc	Ауысу SC деректері	tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В	Ауысу	Ауысу 2480	Ауысу	Ауысу a)

Ауысу

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу vf	Алға қарай диод кернеу	if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=25лыc	Ауысу	1.80	2.25	Ауысу v
		if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=Ауысу125лыc	Ауысу	1.95	Ауысу
		if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=Ауысу150лыc	Ауысу	1.90	Ауысу
qr	Алынған айыппұл	vCC=900V,If=800А, -di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc	Ауысу	232	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	720	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	134	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vCC=900V,If=800А, -di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc	Ауысу	360	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	840	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	222	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vCC=900V,If=800А, -di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc	Ауысу	424	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	880	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	259	Ауысу	МЖ

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Менлы	Айналадағы индуктивтілік	Ауысу	20	Ауысу	nH
rCC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке	Ауысу	0.37	Ауысу	mΩ
rθЖК	Қатысу (IGB бойынша)Т) Құрамына байланысты (D-ға)йод)	Ауысу	Ауысу	30.9 49.0	K/kW
rθКС	Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша) Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)	Ауысу	19.6 31.0	Ауысу	K/kW
rθКС	Қаптамадан суға құюға	Ауысу	6.0	Ауысу	K/kW
Ауысу м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы	1.8 8.0 4.25	Ауысу	2.1 10 5.75	Ауысу n.m
g	салмағыАуысулықАуысуМодуль	Ауысу	1500	Ауысу	g