IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD800HFL120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

@ Тc=25°C

@ Тc=80°C

1250

a)

800

iКМ ((1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

1600

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

800

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

1600

a)

pd

Максималды қуаттылықtj=150°C

4310

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tj

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-тенАуысу+150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тенАуысу+125

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В, t=10ms, Tj=125°C

140

ка2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

қозғалтқыш күші

Электр терминалыАуысуШраф:M4

Электр терминалыАуысуШрафта:M8

1.7 дейінАуысу2.3

8,0-денАуысу10

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVАуысуCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=32mA,Vлы=VГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.8

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.0

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

qГЭ

Қақпалық төлем

ic= 800А,Влы=600В,

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

11.5

Ауысу

μC

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=800А,

rҚон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vГЭАуысу=±15В,Тj=25°C

Ауысу

600

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

230

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

820

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

150

Ауысу

н

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,

rҚон=3,3Ω,

rГофф= 0,39Ω,

vГЭАуысу=±15В,Тj=125°C

Ауысу

660

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

220

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

960

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

160

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

125

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

61.8

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

4.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.7

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C,

vCC= 900В,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

3760

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE'

Модульдің қорғасын кедергісіc)АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.18

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=800A

tj=25°C

Ауысу

2.4

Ауысу

v

tj=125°C

Ауысу

2.2

Ауысу

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

Ауысу

if=800А,

vr=600В,

di/dt=-3600A/μs,АуысуvГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

37

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

90

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

260

Ауысу

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

400

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

9

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

24

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθJC

Дәнекерлеу-корпус (IGBT бөлігі, әрАуысу1/2 модулі)

Ауысу

0.029

К/W

rθJC

Дәнекерлеу-корпус (диод бөлігі, әрАуысу1/2 модулі)

Ауысу

0.052

К/W

rθCS

Қаптамадан суға құюға

(Жегілген өткізгіш май, Модуль)

0.006

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1500

Ауысу

g