IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=100лыc

800

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tvj=175лыc

4687

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

900

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1800

a)

iFSM

Ағын Алға Ағым  tp=10ms  @ Tvj=125лыcАуысу@ Тvj=175лыc

2392

2448

a)

i2t

i2t-құн,tp=10мс@tvj=125лыc@ Тvj=175лыc

28608

29964

a)2s

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tvjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tvjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Изоляция Кернеуі  RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

1.40

1.85

Ауысу

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=175лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtvj=25лыc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

28.4

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.15

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

2.05

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,Ауысуrg=0.5Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tvj=25лыc

Ауысу

168

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

78

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

428

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

123

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

43.4

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

77.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,Ауысу

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tvj=125лыc

Ауысу

172

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

84

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

502

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

206

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

86.3

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

99.1

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,

Ауысуrg=0.5Ω, Ls=40nH,Ауысу

vГЭ=-8V/+15V,

tvj=175лыc

Ауысу

174

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

90

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

531

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

257

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

99.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

105

Ауысу

МЖ

Ауысу

Ауысу

isc

Ауысу

Ауысу

SC деректері

tp≤8μs,vГЭ=15В,

tvj=150лыС,

vCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

2600

Ауысу

Ауысу

a)

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tvj=175лыС,

vCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

2500

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диодАуысукернеу

if=900A,VГЭ=0В,Тvj=25лыc

Ауысу

1.60

2.00

Ауысу

v

if=900A,VГЭ=0В,Тvj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

if=900A,VГЭ=0В,Тvj=175лыc

Ауысу

1.50

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=7778A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=25лыc

Ауысу

47.7

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

400

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

13.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=7017A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=125лыc

Ауысу

82.7

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

401

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

26.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=6380A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=175лыc

Ауысу

110

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

413

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

34.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k