IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD630HFL120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц =80 °C

945

А

630

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1260

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

@ Т Ц =80 °C

630

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

1260

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 150°C

4167

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Орнату Торк

Электр терминалы Шраф:M6

Орнату Шраф:M6

2,5 -ге дейін 5.0

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 630A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

2.35

2.80

V

I Ц = 630A,V ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.73

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =630А, R g = 2,5Ω,V ГЭ = ± 15В, t ж =25 °C

210

н

t R

Күтерілу уақыты

102

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

600

н

t F

Күз мезгілі

80

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

75.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

37.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =630А, R g = 2,5Ω,V ГЭ = ± 15В, t ж = 125°C

230

н

t R

Күтерілу уақыты

103

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

705

н

t F

Күз мезгілі

103

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

102.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

63.0

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

29.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.08

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.36

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ =15В, t ж = 125°C V CC =600В,

V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

0.5

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

18

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі c) Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.32

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =630А

t ж =25 °C

2.00

2.40

V

t ж = 125°C

2.20

Q R

Алынған айыппұл

I F =630А,

V R =600В,

R g = 2,5Ω,

V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

80

μC

t ж = 125°C

130

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

336

А

t ж = 125°C

433

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

24.4

МЖ

t ж = 125°C

49.6

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша) БТ)

0.030

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.048

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

340

g