IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD630HFL120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

945

a)

630

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1260

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

@ Тc=80°C

630

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

1260

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу150°C

4167

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Электр терминалыАуысуШраф:M6

орнатуАуысуШраф:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

3.0-денАуысу5.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 630A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.35

2.80

Ауысу

Ауысу

v

ic= 630A,VГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.73

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=630А, Ауысуrg= 2,5Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

210

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

102

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

600

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

80

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

75.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

37.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=630А, Ауысуrg= 2,5Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

230

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

103

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

705

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

103

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

102.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

63.0

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

29.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

2.08

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.36

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=Ауысу125°CVCC=600В,Ауысу

vКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісіқайырмақ

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

18

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісіc)АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.32

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=630А

tj=25°C

Ауысу

2.00

2.40

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

2.20

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=630А,

vr=600В,

rg= 2,5Ω,

vГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

80

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

130

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

336

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

433

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

24.4

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

49.6

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша)БТ)

Ауысу

0.030

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.048

К/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

340

Ауысу

g