IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=70лыc

830

600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=150лыc

4032

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.90

3.35

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

3.60

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=6,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.0

5.8

6.6

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.25

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

39.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.55

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

6.30

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

205

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

50

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

265

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

140

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

50.4

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

20.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

210

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

55

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

275

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

175

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

66.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

28.9

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=125лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

3900

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

2.25

2.70

v

if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-ди/дт=Ауысу12kA/μs,VГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

42.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

492

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

16.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-ди/дт=Ауысу12kA/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

80.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

672

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

37.9

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.031

0.070

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.051

0.114

0.035

Ауысу

К/W

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

Ауысу

2.0

5.0

5.0

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g