IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=90лыc

890

600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2830

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.0

5.6

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

52.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.68

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=15В

Ауысу

3.28

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

332

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

106

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

525

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

125

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

12.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

54.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

335

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

110

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

575

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

168

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

21.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

69.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1.Ауысу1Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

340

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

112

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

586

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

185

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

22.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

74.0

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыС,

vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

58.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

472

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

29.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

106

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

604

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

52.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5800A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

122

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

644

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

60.7

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.053

0.071

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.061

0.082

0.035

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g