IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD600SGL120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

950

a)

600

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

1200

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C

3750

w

tsc

Қысқа тұйықталуға қарсытұру уақыты

10

μs

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В,t=10ms,Tj=125°C

74000

a)2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Ауысу

Қою моментi

Сигнал терминалыАуысуШраф:M4

1.1 дейінАуысу2.0

Ауысу

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу5.0

Ауысу

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

300

g

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=24ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.9

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.1

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=3Ω,

vГЭ=±15АуысуV,  Tj=25°C

Ауысу

200

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

62

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

510

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=3Ω,

vГЭ=±15АуысуV,  Tj=25°C

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

39

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

48

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,

rg=3Ω,VГЭ=±15АуысуV,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

210

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

65

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

600

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

75

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

45

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

60

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В, f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

41.0

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

3.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.0

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=125°C,

vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

2600

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің жетек кедергісіе,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.18

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600А

tj=25°C

Ауысу

1.8

2.4

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.9

2.5

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=600А,

vr=600В,

di/dt=-6000A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

65

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

100

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

450

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

510

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

35

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

42

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі)

Ауысу

0.04

°C/W

rθЖК

Junction-to-Case (Диод бөлімі, модуль бойыншаle)

Ауысу

0.09

°C/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

°C/W