IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

iКН

Коллекторды іске асырурент

600

a)

ic

Жинағыш тогы @ Tf=85лыc

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат таратулықАуысу@tf=75лыcАуысуtj=175лыc

970

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталанатын шың кері кернеуГЭ

1200

v

iБФ

Коллекторды іске асырурент

600

a)

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Бір кезең ішінде 10 теңге30 жастан асқан,осы оқиғаӨмір бойы 3000 есемен

-40-дан +150-ге дейінАуысу

+150-ден +175 дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

dЖүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға

9.0Ауысу9.0

мм

dтаза

Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға

4.5Ауысу4.5

мм

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

iКН

Коллекторды іске асырурент

600

a)

ic

Жинағыш тогы @ Tf=85лыc

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат таратулықАуысу@tf=75лыcАуысуtj=175лыc

970

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталанатын шың кері кернеуГЭ

1200

v

iБФ

Коллекторды іске асырурент

600

a)

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Бір кезең ішінде 10 теңге30 жастан асқан,осы оқиғаӨмір бойы 3000 есемен

-40-дан +150-ге дейінАуысу

+150-ден +175 дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

dЖүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға

9.0Ауысу9.0

мм

dтаза

Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға

4.5Ауысу4.5

мм

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.40

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 15,6ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

6.4

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

1.67

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

81.2

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.56

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.53

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vлыАуысу= 600В,IcАуысу=600А, VГЭ=-8...+15В

Ауысу

5.34

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,

rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH,

vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

290

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

81

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

895

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

87

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

53.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

47.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,

rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH,

vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

322

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

103

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1017

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

171

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

84.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

63.7

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,

rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH,

vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=175лыc

Ауысу

334

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

104

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1048

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

187

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

89.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

65.4

Ауысу

МЖ

isc

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=175лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

2000

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

vf

Ауысу

Ауысу

Алға қарай диодАуысукернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 150лыc

Ауысу

1.75

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 175лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj= 150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj= 175лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=600А,

-di/dt=7040A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=25лыc

Ауысу

22.5

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

304

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

10.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=600А,

-di/dt=5790A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=150лыc

Ауысу

46.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

336

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

18.2

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=600А,

-di/dt=5520A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=175лыc

Ауысу

49.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

346

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

19.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

8

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.75

Ауысу

mΩ

△p

△V/△t=10,0dm3/минут,tf=75лыc

Ауысу

64

Ауысу

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысымқайырма

Ауысу

Ауысу

2.5

қапшық

Ауысу

rТЖЖ

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...салқындатуАуысуСұйықтық(perIGBT)Қосылым-сауыту сұйықтығы (Д-ға)йод)Ауысу△V/△t=10,0dm3/минут,tf=75лыc

Ауысу

Ауысу

0.103Ауысу0.140

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5АуысуМонументтік момент,АуысуМ4 бұрандасы

3.6Ауысу1.8

Ауысу

4.4Ауысу2.2

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

750

Ауысу

g