IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

1090

600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

3947

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.2

5.8

6.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

62.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.74

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.62

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

136

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

77

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

494

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

72

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

53.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

48.4

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

179

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

77

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

628

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

113

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

70.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

74.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

179

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

85

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

670

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

124

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

76.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

81.9

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.95

2.40

Ауысу

v

if=600A,VГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

2.05

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

58.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

276

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

20.9

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=125лыc

Ауысу

109

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

399

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

41.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=150лыc

Ауысу

124

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

428

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

48.5

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.038

0.066

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.028

0.049

0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0

3.0

Ауысу

6.0

6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g