GD600HFX170C6S,IGBT Модулі,1700V 600A,STARPOWER

IGBT Модулі 1700V

GD600HFX170C6S,IGBT модулі, 1700В 600А,Старт-пауэр

GD600HFX170C6S,IGBT модулі, 1700В 600А,Старт-пауэр

IGBT модулі, 1700В 600А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD600HFX170C6S

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

IGBT

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
vCES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	v
vГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	± 20	v
ic	ЖинақтаушыАуысуағымды@Ауысуtc=25лыc @tc=Ауысу100лыc	1069 600	a)
iсм	қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtp= 1мс	1200	a)
pd	ең көпАуысуқуаттылығыАуысушашырау@tj=175лыc	4166	w

Диод

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
vРРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1700	v
if	Диодты үздіксіз алдыңғы ток	600	a)
iм-ге	Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс	1200	a)

Модуль

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
tjmax	Жоғарғы бұрылыс температурасықажылық	175	лыc
tжіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40үшінАуысу+150	лыc
tЖТГ	Сақтау температурасы	-40үшінАуысу+125	лыc
vISO	ОқшаулауАуысукернеуАуысуРМС,f=50hz, t=1минут	4000	v

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу Ауысу vлы(тұрып)	Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	ic=600А,vГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc	Ауысу	1.85	2.20	Ауысу Ауысу v
		ic=600А,vГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc	Ауысу	2.25	Ауысу
		ic=600А,vГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc	Ауысу	2.35	Ауысу
vГЭ(лық)	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу	ic=Ауысу12.0ана,vлы=vГЭ,tj=25лыc	5.6	6.2	6.8	v
iCES	Жинақтаушыны кесу ағымды	vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	5.0	ана
iГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды	vГЭ=vГЭС,vлы=0В, tj=25лыc	Ауысу	Ауысу	400	н
rГинт	Ішкі қақпа кедергісі	Ауысу	Ауысу	1.1	Ауысу	О
cлар	Кіріс сыйымдылығы	vлы=25В,f=1мхз, vГЭ=0В	Ауысу	72.3	Ауысу	НФ
cре	Кері ауыстыру Қуаттылық	vлы=25В,f=1мхз, vГЭ=0В	Ауысу	1.75	Ауысу	НФ
qg	Қақпалық төлем	vГЭ=-Ауысу15...+15В	Ауысу	5.66	Ауысу	μC
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 900В,ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,vГЭ=±15В,tj=25лыc	Ауысу	160	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	67	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	527	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	138	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	154	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	132	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 900В,ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,vГЭ=±15В,tj=Ауысу125лыc	Ауысу	168	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	80	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	585	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	168	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	236	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	189	Ауысу	МЖ
td(басталды)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу vCC= 900В,ic=600А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,vГЭ=±15В,tj=Ауысу150лыc	Ауысу	192	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	80	Ауысу	н
td(Ашылған)	БұғаттауАуысуКешіру уақыты		Ауысу	624	Ауысу	н
tf	Күз мезгілі		Ауысу	198	Ауысу	н
ебасталды	Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту		Ауысу	259	Ауысу	МЖ
еАшылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	195	Ауысу	МЖ
Ауысу isc	Ауысу SC деректері	tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В, tj=150лыc,vCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В	Ауысу	Ауысу 2400	Ауысу	Ауысу a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірліктері
Ауысу vf	Алға қарай диод кернеу	if=600А,vГЭ=0В,tj=25лыc	Ауысу	1.80	2.25	Ауысу v
		if=600А,vГЭ=0В,tj=Ауысу125лыc	Ауысу	1.90	Ауысу
		if=600А,vГЭ=0В,tj=Ауысу150лыc	Ауысу	1.95	Ауысу
qr	Алынған айыппұл	vr= 900В,if=600А, - Мен...ды/dt= 6700A/μs,vГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc	Ауысу	153	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	592	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	76.5	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr= 900В,if=600А, - Мен...ды/dt= 6700A/μs,vГЭ=-Ауысу15Вtj=125лыc	Ауысу	275	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	673	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	150	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr= 900В,if=600А, - Мен...ды/dt= 6700A/μs,vГЭ=-Ауысу15Вtj=150лыc	Ауысу	299	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	690	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	173	Ауысу	МЖ

НТКАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
r25	Атаулы кедергі	Ауысу	Ауысу	5.0	Ауысу	kΩ
ΔR/R	АуыспалыАуысулықАуысуr100	tc=Ауысу100АуысулыcР100= 493,3Ω	-5	Ауысу	5	%
p25	қуаттылығы шашырау	Ауысу	Ауысу	Ауысу	20.0	мв
b25/50	Б-құн	r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3375	Ауысу	k
b25/80	Б-құн	r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3411	Ауысу	k
b25/100	Б-құн	r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен... 1 / 298.15K))]	Ауысу	3433	Ауысу	k

Ауысу

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ	параметр	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Менлы	Айналадағы индуктивтілік	Ауысу	20	Ауысу	nH
rCC+EE'	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалЧипке	Ауысу	1.10	Ауысу	mΩ
rТЖК	Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(бірАуысуIGBT) Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(бірАуысуДиод)	Ауысу	Ауысу	0.036 0.073	К/W
Ауысу rТХ	жағдай- Мен...үшін- Мен...Жылу сорғышы(бірАуысуIGBT) жағдай- Мен...үшін- Мен...Жылу сорғышы(бірАуысуДиод) Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша)	Ауысу	0.027 0.055 0.009	Ауысу	Ауысу К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті,Ауысубұрандам6ҚоюАуысуқозғалтқыш күші,АуысубұрандаАуысум5	3.0 3.0	Ауысу	6.0 6.0	n.m
g	салмағыАуысуМодуль	Ауысу	350	Ауысу	g