IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=90лыc

873

600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2727

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Изоляция Кернеуі  RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.75

2.20

Ауысу

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.05

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

55.9

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.57

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.20

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1,5Ω

, Ls=34nH, VГЭ=±15В,Тj=25лыc

Ауысу

109

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

62

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

469

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

68

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

42.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

46.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,

Менs= 34nH,Ауысу

vГЭ=±15В,Тj=125лыc

Ауысу

143

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

62

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

597

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

107

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

56.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

70.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,

Менs= 34nH,Ауысу

АуысуvГЭ=±15В,Тj=150лыc

Ауысу

143

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

68

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

637

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

118

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

61.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

77.8

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.95

2.40

Ауысу

v

if=600A,VГЭ=0В,Тj= 125лыc

Ауысу

2.05

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj= 150лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Менs= 34nH,tj=25лыc

Ауысу

58.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

276

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

20.9

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Менs= 34nH,tj=125лыc

Ауысу

109

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

399

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

41.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=4300A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Менs= 34nH,tj=150лыc

Ауысу

124

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

428

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

48.5

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.055

0.089

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрIGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.032

0.052

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g