IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD450HFT120C6S_G8

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 °C

@ Т Ц =100 °C

660

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

p D

Максималды қуаттылық ж =17 5°C

2083

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0-ден 6.0

3.0-ден 6.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

910

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

360

н

t R

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t F

Күз мезгілі

146

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

11.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

374

н

t R

Күтерілу уақыты

147

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

623

н

t F

Күз мезгілі

178

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

17.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

64.5

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

39.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.26

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =125 °C V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.67

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

1.10

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =450А

t ж =25 °C

1.65

2.25

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =450А,

V R =600В,

R g =1.5Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

41.6

μC

t ж =125 °C

77.5

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

241

А

t ж =125 °C

325

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

23.2

МЖ

t ж =125 °C

43.1

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.072

К/W

R θ ЖК

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.110

К/W

R θ КС

Қалқадан суға құюға арналған май қапталған)

0.005

К/W