IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

680

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2173

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу11.3mA,Vлы=VГЭ,tj=25лыc

5.2

5.8

6.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

46.6

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

3.50

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

203

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

64

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

491

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

79

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

16.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

38.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

75

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

581

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

109

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

27.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

55.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

75

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

621

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

119

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

30.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

61.5

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=6600A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

46

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

428

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

25.2

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=6600A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

87

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

523

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

46.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=6600A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

100

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

546

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

52.3

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

1.10

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.069

0.108

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.030Ауысу0.046Ауысу0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0

3.0

Ауысу

6.0

6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g