IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=90лыc

656

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2054

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 18,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

46.6

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

3.50

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

328

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

76

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

539

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

108

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

19.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

46.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

376

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

86

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

595

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

214

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

36.3

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

53.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

380

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

89

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

608

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

232

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

41.7

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

55.5

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 125лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 150лыc

Ауысу

2.05

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

55.2

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

518

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

26.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=125лыc

Ауысу

106

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

633

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

47.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=150лыc

Ауысу

121

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

661

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

53.9

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.073

0.128

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.031

0.055

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g