IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=95лыc

685

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2206

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=Ауысу1 мс

900

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу18.0mA,Vлы=VГЭ, тj=25лыc

5.0

5.6

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

39.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.26

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=Ауысу15В

Ауысу

2.46

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

360

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

146

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

11.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

48.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

374

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

147

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

623

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

178

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

17.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

64.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

381

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

152

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

636

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

184

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

19.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

69.0

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=Ауысу15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.72

2.12

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.73

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.74

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

40.3

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

258

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

19.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

71.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

338

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

39.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

79.3

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

352

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

41.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.068

0.117

К/W

rθКС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

Ауысу

0.111

0.190

Ауысу

К/W

rθКС

Қаптамадан суға құюға

Ауысу

0.035

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g