GD450HFL170C2S,IGBT Модулі,1700V 450A,STARPOWER

IGBT Модулі 1700V

GD450HFL170C2S,IGBT модулі, 1700В 450А,Старт-пауэр

GD450HFL170C2S,IGBT модулі, 1700В 450А,Старт-пауэр

IGBT Модулі，1700V 450A

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD450HFL170C2S

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

Төмен VCE(sat) SPT+IGBTтехнология
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
VCE (sat)жәнеоңтемпературасыкоэффициенті
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
Жел турбинасы
Жоғары қуат конвертері

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

IGBT

Символ	сипаттама	құн	бірлік
ККЕЖ	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	v
VGES	Қақпа-эмиттер кернеуі	± 20	v
i	Коллектордың тогы @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	a)
ICM	Импульстік коллектор тогы tp=1 мс	900	a)
ДҚ	Максималды қуат жоғалту T =175oC	2678	w

Ауысу

Диод

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
vРРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1700	v
if	Диодты үздіксіз алға бұружалға алу	450	a)
iм-ге	Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс	900	a)

Модуль

Ауысу

Символ	сипаттама	құн	бірлік
tjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	лыc
tжіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	лыc
tЖТГ	сақтау температурасыАуқымы	-40-дан +125-ге дейін	лыc
vISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут	4000	v

Ауысу

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу Ауысу VCE (sat)	Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC	Ауысу	2.00	2.45	Ауысу Ауысу v
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC	Ауысу	2.40	Ауысу
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC	Ауысу	2.50	Ауысу
VGE (th)	Gate-эмиттер шекті кернеуі	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	v
ICES	Жинақтаушыны кесу ағымды	VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC	Ауысу	Ауысу	5.0	ана
ИГЭС	Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC	Ауысу	Ауысу	400	н
RGint	Ішкі қақпа кедергісі	Ауысу	Ауысу	0.3	Ауысу	О
Қалғандары	Кіріс сыйымдылығы	VCE=25В,f=1Мхц, VGE=0V	Ауысу	30.0	Ауысу	НФ
Крес	Кері ауыстыру Қуаттылық	VCE=25В,f=1Мхц, VGE=0V	Ауысу	1.08	Ауысу	НФ
Бас басқарма	Қақпалық төлем	VGE=-15…+15V	Ауысу	2.70	Ауысу	μC
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC	Ауысу	504	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	183	Ауысу	н
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты		Ауысу	616	Ауысу	н
Тф	Күз мезгілі		Ауысу	188	Ауысу	н
Эон	Қосылу ауысу Жоғалту		Ауысу	126	Ауысу	МЖ
Еоф	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	89	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC	Ауысу	506	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	194	Ауысу	н
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты		Ауысу	704	Ауысу	н
Тф	Күз мезгілі		Ауысу	352	Ауысу	н
Эон	Қосылу ауысу Жоғалту		Ауысу	162	Ауысу	МЖ
Еоф	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	124	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC	Ауысу	510	Ауысу	н
tr	Күтерілу уақыты		Ауысу	198	Ауысу	н
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты		Ауысу	727	Ауысу	н
Тф	Күз мезгілі		Ауысу	429	Ауысу	н
Эон	Қосылу ауысу Жоғалту		Ауысу	174	Ауысу	МЖ
Еоф	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту		Ауысу	132	Ауысу	МЖ
Ауысу еск	Ауысу SC деректері	tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V	Ауысу	Ауысу 1440	Ауысу	Ауысу a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Ауысу vf	Алға қарай диод кернеу	if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc	Ауысу	1.87	2.32	Ауысу v
		if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc	Ауысу	2.00	Ауысу
		if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc	Ауысу	2.05	Ауысу
qr	Алынған айыппұл	vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc	Ауысу	107	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	519	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	75	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc	Ауысу	159	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	597	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	113	Ауысу	МЖ
qr	Алынған айыппұл	vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc	Ауысу	170	Ауысу	μC
irm	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы		Ауысу	611	Ауысу	a)
ерек	Қайта қалпына келтіруэнергия		Ауысу	119	Ауысу	МЖ

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ	параметр	Мин.	Тип.	ең көп.	бірлік
Менлы	Айналадағы индуктивтілік	Ауысу	Ауысу	20	nH
rCC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке	Ауысу	0.35	Ауысу	mΩ
rТЖК	Қатысу (IGB бойынша)Т) Құрамына байланысты (D-ға)йод)	Ауысу	Ауысу	0.056 0.112	К/W
Ауысу rТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)	Ауысу	0.105 0.210 0.035	Ауысу	К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы	2.5 3.0	Ауысу	5.0 5.0	n.m
g	салмағыАуысулықАуысуМодуль	Ауысу	300	Ауысу	g