IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

ЖинақтаушыАуысуағымды@Ауысуtc=25лыc

@tc=Ауысу100лыc

630

400

a)

iсм

қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtp= 1мс

800

a)

pd

ең көпАуысуқуаттылығыАуысушашырау@tj=175лыc

2083

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы бұрылыс температурасықажылық

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40үшінАуысу+150

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40үшінАуысу+125

лыc

vISO

ОқшаулауАуысукернеуАуысуРМС,f=50hz, t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

vлы(тұрып)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=400А,vГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=400А,vГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=400А,vГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу10.0ана,vлы=vГЭ,tj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

Жинақтаушыны кесу

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1мхз,

vГЭ=0В

Ауысу

41.4

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.16

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15В...+15В

Ауысу

3.11

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=600В,ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

257

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

96

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

628

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

103

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

23.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

34.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=600В,ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

268

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

107

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

659

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

144

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

35.3

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

51.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=600В,ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

278

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

118

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

680

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

38.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

56.7

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В,

tj=150лыc,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А,vГЭ=0В,tj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if=400А,vГЭ=0В,tj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

if=400А,vГЭ=0В,tj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=600В,if=400А,

- Мен...ды/dt= 5000А/μс,vГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

38.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

285

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

19

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=600В,if=400А,

- Мен...ды/dt= 5000А/μс,vГЭ=-Ауысу15Вtj=Ауысу125лыc

Ауысу

66.5

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

380

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

36.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=600В,if=400А,

- Мен...ды/dt= 5000А/μс,vГЭ=-Ауысу15Вtj=Ауысу150лыc

Ауысу

76.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

399

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

41.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE'

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалЧипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(бірАуысуIGBT)

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(бірАуысуДиод)

Ауысу

Ауысу

0.072

0.095

К/W

Ауысу

rТХ

жағдай- Мен...үшін- Мен...Жылу сорғышы(бірАуысуIGBT)

жағдай- Мен...үшін- Мен...Жылу сорғышы(бірАуысуДиод)

Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша)

Ауысу

0.018

0.023

0.010

Ауысу

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,Ауысубұрандам6ҚоюАуысуқозғалтқыш күші,АуысубұрандаАуысум6

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g