IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

i

Коллектордың тогы @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a)

ICM

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

ДҚ

Максималды қуат тарату @ T = 150oC

2659

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

егер

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

a)

ifm

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

Tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

oC

Тжоп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.90

3.35

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

3.60

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

4.5

5.5

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.6

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

26.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.70

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.2

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2.2Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

76

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

57

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

529

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

73

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

5.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

23.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=2.2Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

81

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

62

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

567

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

81

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

9.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

31.7

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=125лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.96

2.31

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.98

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

24.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

317

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

16.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

35.5

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

391

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

21.4

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.047

0.100

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.015

0.031

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g