IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

GD400SGT170C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц =80 °C

700

А

400

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 175°C

3000

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

I 2t-мәні,Диод

V R =0В,t=10ms,T ж =125 °C

25500

А 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

4000

V

Қою моментi

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M6

1.1 дейін 2.0

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

V ГЭ =0В, I Ц = 14мА, t ж =25 °C

1700

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

3.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц = 16 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

2.00

2.45

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.40

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А,

278

н

t R

Күтерілу уақыты

R g =3,6Ω,V ГЭ = ± 15 V,

81

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

t ж =25 °C

802

н

t F

Күз мезгілі

V CC =900V,I Ц =400А, R g =3,6Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

119

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

104

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

86

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =3,6Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж = 125°C

302

н

t R

Күтерілу уақыты

99

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1002

н

t F

Күз мезгілі

198

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

136

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

124

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

36

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.2

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10μs, V ГЭ =15В,

t ж =125 °C V CC = 1000В, V КЕМ ≤ 1700В

1600

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

1.9

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі c) Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж = 125°C

1.90

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F =400А,

V R =900 V,

ди/dt=-4250A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

99

μC

t ж = 125°C

172

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

441

А

t ж = 125°C

478

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

53

МЖ

t ж = 125°C

97

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe) r Модулі)

0.05

К/W

R θ ЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша) е)

0.09

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

300

g