IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

GD400SGT170C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

700

a)

400

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

800

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C

3000

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

i2t-мәні,Диод

vr=0В,t=10ms,Tj=125°C

25500

a)2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

4000

v

Ауысу

Қою моментi

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M6

1.1 дейінАуысу2.0

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу5.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

vГЭ=0В,Ауысуic=Ауысу14мА,tj=25°C

1700

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

3.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=Ауысу16 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.40

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC=900V,Ic=400А,

Ауысу

278

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15АуысуV,

Ауысу

81

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

tj=25°C

Ауысу

802

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15АуысуV,tj=25°C

Ауысу

119

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

104

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

86

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15АуысуV,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

302

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

99

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1002

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

198

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

136

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

124

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

36

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.2

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10μs,vГЭ=15В,

tj=125°CVCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісіқайырмақ

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісіc)АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.18

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.20

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=400А,

vr=900АуысуV,

ди/dt=-4250A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

99

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

172

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

441

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

478

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

53

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

97

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі)

Ауысу

0.05

К/W

rθЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша)е)

Ауысу

0.09

К/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

300

Ауысу

g