IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD400SGT120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=80°C

680

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

@ Тc=80°C

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

2419

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M6

1.1 дейінАуысу2.0

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

Тіркемелік бұранда:M6

3.0-денАуысу5.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.05

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,tj=25°C

Ауысу

251

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

89

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

555

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

128

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

23.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

39.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,tj=125°C

Ауысу

302

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

101

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

650

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

179

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

33.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

58.9

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

28.8

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.51

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.10

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=400А,

vr=600В,

rg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

39.8

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

75.1

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

275

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

362

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

18.0

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

34.1

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

0.067

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.124

К/W

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

300

Ауысу

g