IGBT модулі, 1200В, 400А
ерекшеліктері
типтік қолданбалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | сипаттама | GD400SGL120C2S | бірліктері |
vCES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | v |
vГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ±20 | v |
ic | Жинағыш тогы @ Tc=25°C @ Тc=Ауысу100°C | 650 | a) |
400 | |||
iсм(1) | Импульстік коллекторлы керрен | 800 | a) |
if | Диодты үздіксіз алдыңғы ток | 400 | a) |
iм-ге | Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу | 800 | a) |
pd | Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C | 3000 | w |
tsc | Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C | 10 | μs |
tjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | °C |
tj | Жұмыс қиылысының температурасы | -40-дан +150-ге дейін | °C |
tЖТГ | Сақтау температурасы | -40-дан +125-ге дейін | °C |
i2t-құндылығы, диод | vr=0В, t=10ms, Tj=125°C | 27500 | a)2s |
vISO | Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин | 2500 | v |
Қою моментi | Қуат терминалының бұрандасы:M6 | 2,5 -ге дейінАуысу5 | n.m |
орнатуАуысуШраф:M6 | 3АуысуүшінАуысу6 | n.m |
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуIGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Белгілері
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
BVCES | Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі | tj=25°C | 1200 | Ауысу | Ауысу | v |
iCES | ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды | vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | Ауысу | 5.0 | ана |
iГЭС | Қақпа-эмиттер ағындылық ағыны | vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | Ауысу | 400 | н |
Өздік ерекшеліктері туралы
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
vГЭ(лық) | Қақпа-эмиттер Төменгі кернеу | ic=8ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) | Жинақтаушы Эмитерлер қанықтығы кернеу | ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C | Ауысу | 1.9 | Ауысу | Ауысу Ауысу v |
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C | Ауысу | 2.1 | Ауысу |
Өзгерту сипаттамалары
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | vCC= 600В,Ic=400А, rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В, | Ауысу | 100 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 60 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | tj=25°C | Ауысу | 420 | Ауысу | н |
tf | Күз мезгілі | vCC= 600В,Ic=400А, rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В, tj=25°C | Ауысу | 60 | Ауысу | н |
ебасталды | Қалпына келтіру Ауысу жоғалту | Ауысу | 33 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Айналайық- Мен...Ашылған Ауысу жоғалту | Ауысу | 42 | Ауысу | МЖ | |
td(басталды) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=400А, rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В, tj=Ауысу125°C | Ауысу | 120 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 60 | Ауысу | н | |
td(Ашылған) | БұғаттауАуысуКешіру уақыты | Ауысу | 490 | Ауысу | н | |
tf | Күз мезгілі | Ауысу | 75 | Ауысу | н | |
ебасталды | Қалпына келтіру Ауысу жоғалту | Ауысу | 35 | Ауысу | МЖ | |
еАшылған | Айналайық- Мен...Ашылған Ауысу жоғалту | Ауысу | 46 | Ауысу | МЖ | |
cлар | Кіріс сыйымдылығы | Ауысу vлыАуысу=25В, f=1МГц, vГЭАуысу=0В | Ауысу | 30 | Ауысу | НФ |
cлық | Шығарылымдық сыйымдылық | Ауысу | 4 | Ауысу | НФ | |
cре | Кері Ауысу қабілеті | Ауысу | 3 | Ауысу | НФ | |
Ауысу isc | Ауысу SC деректері | tsc≤10 мс, VГЭ=15АуысуV, tj=125°C, VCC= 900В, vКЕМ≤1200В | Ауысу | Ауысу 1900 | Ауысу | Ауысу a) |
rГинт | Ішкі қақпа қарсылық | Ауысу | Ауысу | 0.5 | Ауысу | О |
Менлы | Айналадағы индуктивтілік | Ауысу | Ауысу | Ауысу | 20 | nH |
Ауысу rCC+EEАуысу' | Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке | Ауысу tc=25°C | Ауысу | Ауысу 0.18 | Ауысу | Ауысу мО |
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірліктері | |
vf | Алға қарай диод кернеу | if=400А | tj=25°C | Ауысу | 2.1 | 2.2 | v |
tj=Ауысу125°C | Ауысу | 2.2 | 2.3 | ||||
qr | Диод кері Алу ақысы | Ауысу if=400А, vr=600В, di/dt=-4000A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В | tj=25°C | Ауысу | 40 | Ауысу | μC |
tj=Ауысу125°C | Ауысу | 48 | Ауысу | ||||
Ауысу irm | Диодтың шегі Қайта қалпына келтіруАуысуағымды | tj=25°C | Ауысу | 320 | Ауысу | Ауысу a) | |
tj=Ауысу125°C | Ауысу | 400 | Ауысу | ||||
ерек | Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия | tj=25°C | Ауысу | 12 | Ауысу | МЖ | |
tj=Ауысу125°C | Ауысу | 20 | Ауысу |
Жылу сипаттамаларыics
Ауысу
Символ | параметр | Тип. | ең көп. | бірліктері |
rθЖК | Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі) | Ауысу | 0.05 | К/W |
rθЖК | Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша)е) | Ауысу | 0.09 | К/W |
rθКС | Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық) | 0.035 | Ауысу | К/W |
салмағы | салмағыАуысулықАуысуМодуль | 300 | Ауысу | g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.