IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD400SGK120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

Символ

сипаттама

GD400SGK120C2S

бірліктері

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20В

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

550

a)

400

iКМ ((1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алға шығарун

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы ағынын

800

a)

pd

Максималды қуаттылықtj=150°C

2500

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-тенАуысу+150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тенАуысу+125

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В, t=10ms, Tj=125°C

27500

a)2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

v

орнату

қозғалтқыш күші

Электр терминалыАуысуШраф:M4

Электр терминалыАуысуШраф:M6

1.1 дейінАуысу2.0

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу6.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vЖЕ (th)

Қақпа-эмиттер

Төменгі кернеу

ic= 5,0 мА, Влы=VГЭ,

tj=25°C

4.5

5.1

5.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Тj=25°C

Ауысу

2.2

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,

tj=125°C

Ауысу

2.5

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=400А,

Ауысу

258

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

rg=3,3Ω, VГЭАуысу=±15В,

Ауысу

110

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

tj= 25°C

Ауысу

285

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,

rg=3,3Ω, VГЭАуысу=±15В,Ауысуtj= 25°C

Ауысу

70

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

45

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

26

Ауысу

МЖ

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,

rg=3,3Ω, VГЭАуысу=±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

260

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

300

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

80

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

60

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

40

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлыАуысу=25В, f=1,0МГц,

vГЭАуысу=0В

Ауысу

74.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

3.3

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.64

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс, VГЭ=15В,

tj=125°C, VCC= 900В,

vКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

16

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE'

Модульді жетек

қарсылық,АуысуТерминалАуысуүшінАуысусынық

Ауысу

tc=25°C

Ауысу

Ауысу

0.50

Ауысу

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

2.0

2.3

v

tj=125°C

Ауысу

2.2

2.5

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

Ауысу

if=400А,

vr=600В,

di/dt=-4100A/μs,АуысуvГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

31

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

66

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

300

Ауысу

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

410

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

12

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

28

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθJC

Қосылым-қапшыққа (IGBT бөлшегі, әрАуысу1/2 модулі)

Ауысу

0.05

К/W

rθJC

Бөлшекпен қосылу (ДИОД бөлігі, әрАуысу1/2 модулі)

Ауысу

0.08

К/W

rθCS

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

340

Ауысу

g