IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

648

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат таратуАуысуtАуысу=175лыc

2380

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.85

2.20

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.25

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.88

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

48.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.17

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15В...+15В

Ауысу

3.77

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

204

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

38

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

425

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

113

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

97.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

84.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

208

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

50

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

528

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

184

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

141

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

132

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

216

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

50

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

544

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

204

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

161

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

137

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу100V,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=400А,

-di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

116

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

666

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

63.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=400А,

-di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=125лыc

Ауысу

187

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

662

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

114

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=400А,

-di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=150лыc

Ауысу

209

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

640

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

132

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.063

0.105

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.032

0.053

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g