IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD400HFU120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

660

400

a)

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

a)

iм-ге(1)

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

800

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу150°C

2660

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tj

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Қою моментi

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу6.0

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=4,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

4.4

4.9

6.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

3.10

3.60

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

3.45

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=2.2Ω,VГЭ=±15АуысуV,tj=25°C

Ауысу

680

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

142

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

638

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

99

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

19.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

32.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=2.2Ω,VГЭ=±15АуысуV,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

690

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

146

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

669

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

108

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

26.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

36.7

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

33.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

2.99

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.21

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tpАуысу≤10 мс,ВГЭ=15АуысуV,Ауысуtj=25°C,

vCC=600В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

2600

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісіқайырмақ

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

18

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісіc)АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.32

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.95

2.35

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=400А,

vr=600АуысуV,

di/dt=-2850A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

24.1

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

44.3

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

220

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

295

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

13.9

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

24.8

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалыпты қосылымдар (ГИ бойынша)БТ)

Ауысу

0.047

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.096

К/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

g

салмағыАуысуМодуль

350

Ауысу

g