IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD400HFT120C2SN_T4F

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=90°C

585

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алуtp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат таратулық

@ Тj=175°C

2174

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Қуат терминалының бұрандасы:M6

Тіркемелік бұранда:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

3.0-денАуысу5.0

n.m

салмағы

салмағыАуысуМодуль

300

g

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу15,2 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.1

5.8

6.4

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.05

2.45

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.40

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.95

2.35

v

tj=125°C

Ауысу

2.05

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=400А,

vr=600В,

rg=2,4Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

20.2

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

43.0

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

226

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

340

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

10.1

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

27.2

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

0.069

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.098

К/W

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

0.035

Ауысу

К/W