IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

645

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2631

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.40

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.50

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.4

6.2

7.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

27.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.92

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

3.08

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=2.2Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

367

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

112

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

523

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

236

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

42.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

76.7

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=2.2Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

375

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

116

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

599

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

458

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

58.7

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

109

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=2.2Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

377

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

611

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

560

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

73.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

118

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=400А,

-di/dt=2900A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

101

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

488

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

71.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=400А,

-di/dt=2900A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

150

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

562

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

106

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=400А,

-di/dt=2900A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

160

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

575

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

112

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.057

0.110

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.106

0.205

0.035

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g