IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=60лыc

505

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=150лыc

2358

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.90

3.35

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

3.60

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=4,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.0

5.8

6.6

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

26.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.68

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.18

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

337

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

88

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

460

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

116

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

21.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

19.4

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

359

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

90

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

492

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

128

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

29.4

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

26.0

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=125лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

2.00

2.45

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=400А,

-di/dt=2840A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

27.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

280

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

16.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=400А,

-di/dt=2840A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

46.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

380

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

30.0

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.053

0.103

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.048

0.094

0.032

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g