IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

GD3600SGT170C4S

бірліктері

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

i

Коллекторлық ток@ TC=25℃

Коллекторлық ток@ TC=80℃

5200

a)

3600

ICM(1)

Пульсирленген коллекторлық ток    tp= 1ms

7200

a)

егер

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

3600

a)

ifm

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

7200

a)

ДҚ

Максималды қуат жоғалту    @ Tj= 175℃

19.7

кв

Тж

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M8

1.8-ден 2.1-ге

8.0-ден 10-ға

Ауысу

n.m

қозғалтқыш күші

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

V(BR) CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

Tj=25°C

1700

Ауысу

Ауысу

v

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

ИГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

VGE (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

Ауысу

Ауысу

VCE (sat)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

Ауысу

2.40

2.85

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Бас басқарма

Қақпалық төлем

VGE=- 15...+15В

Ауысу

42.0

Ауысу

μC

RGint

Ішкі қақпа кедергісі

Tj=25°C

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15В,Tj=25°C

Ауысу

730

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

205

Ауысу

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

1510

Ауысу

н

Тф

Күз мезгілі

Ауысу

185

Ауысу

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

Ауысу

498

Ауысу

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

1055

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

Ауысу

785

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

225

Ауысу

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

1800

Ауысу

н

Тф

Күз мезгілі

Ауысу

325

Ауысу

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

Ауысу

746

Ауысу

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

1451

Ауысу

МЖ

Қалғандары

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

VCE=25В,f=1Мхц,

VGE=0V

Ауысу

317

Ауысу

НФ

Коэ

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

13.2

Ауысу

НФ

Крес

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

10.5

Ауысу

НФ

Ауысу

еск

Ауысу

SC деректері

tsc≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

Ауысу

Ауысу

14000

Ауысу

Ауысу

a)

LCE

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

nH

RCC’+EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

0.12

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

VF

Алға қарай диод

кернеу

IF=3600A

Tj=25°C

Ауысу

1.80

2.20

v

Tj= 125℃

Ауысу

1.90

2.30

Qr

Алынған айыппұл

Ауысу

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

Ауысу

836

Ауысу

μC

Tj= 125℃

Ауысу

1451

Ауысу

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

Tj=25°C

Ауысу

2800

Ауысу

a)

Tj= 125℃

Ауысу

3300

Ауысу

Ерек

Кері қалпына келтіру энергиясы

Tj=25°C

Ауысу

590

Ауысу

МЖ

Tj= 125℃

Ауысу

1051

Ауысу