IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD3600SGT120C4S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

@ Тc=25°C

@ Тc=80°C

4800

a)

3600

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

7200

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

3600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

7200

a)

pd

Максималды қуаттылықj=175°C

16.7

кв

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Сигнал терминалыАуысуШраф:M4

1.8 дейінАуысу2.1

Ауысу

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-денАуысу10

n.m

қозғалтқыш күші

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=145ана,vлы=vГЭ,tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=3600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=3600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

2.45

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

35.0

Ауысу

μC

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

tj=25°C

Ауысу

0.5

Ауысу

О

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=3600A,АуысуrҚон=0.8Ω,

rГофф=0.2Ω,

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

600

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

235

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

825

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

145

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=3600A,АуысуrҚон=0.8Ω,

rГофф=0.2Ω,

vГЭ=±15В,Тj=125°C

Ауысу

665

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

215

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

970

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

736

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

569

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,VГЭ=0В

Ауысу

258

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

13.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

11.7

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=125°CVCC= 900В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

14000

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

0.12

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=3600A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.15

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

2.15

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=3600A,

vr=600В,

rҚон=0.8Ω,

vГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

360

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

670

Ауысу

irm

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

2500

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

3200

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

97

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

180

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

9.0

K/kW

rθЖК

Диафрагма-Қорап (әр Дио үшінde)

Ауысу

15.6

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға

(Жүргізуші майы қолданылған, әр M үшінодуль)

4

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

2250

Ауысу

g