IGBT модулі，1200V 300A
ерекшелік
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
IGBT
Ауысу
Символ | сипаттама | құн | бірлік |
vCES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | v |
vГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ± 20 | v |
ic | Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=100лыc | 480 300 | a) |
iсм | Импульстік коллектор тогы tp=1 мс | 600 | a) |
pd | Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc | 1613 | w |
Диод
Ауысу
Символ | сипаттама | құн | бірлік |
vРРМ | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу | 1200 | v |
if | Диодты үздіксіз алға бұружалға алу | 300 | a) |
iм-ге | Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс | 600 | a) |
Модуль
Ауысу
Символ | сипаттама | құн | бірлік |
tjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | лыc |
tжіп | Жұмыс қиылысының температурасы | -40-дан +150-ге дейін | лыc |
tЖТГ | сақтау температурасыАуқымы | -40-дан +125-ге дейін | лыc |
vISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут | 4000 | v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірлік |
Ауысу Ауысу VCE (sat) | Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC | Ауысу | 1.70 | 2.15 | Ауысу Ауысу v |
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC | Ауысу | 1.95 | Ауысу | |||
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC | Ауысу | 2.00 | Ауысу | |||
VGE (th) | Gate-эмиттер шекті кернеуі | IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v |
ICES | Жинақтаушыны кесу ағымды | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC | Ауысу | Ауысу | 1.0 | ана |
ИГЭС | Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | Ауысу | Ауысу | 400 | н |
RGint | Ішкі қақпа кедергісі | Ауысу | Ауысу | 2.5 | Ауысу | О |
Қалғандары | Кіріс сыйымдылығы | VCE=25В,f=1Мхц, VGE=0V | Ауысу | 31.1 | Ауысу | НФ |
Крес | Кері ауыстыру Қуаттылық | Ауысу | 0.87 | Ауысу | НФ | |
Бас басқарма | Қақпалық төлем | VGE=- 15...+15В | Ауысу | 2.33 | Ауысу | μC |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=25oC | Ауысу | 182 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 54 | Ауысу | н | |
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу | 464 | Ауысу | н | |
Тф | Күз мезгілі | Ауысу | 72 | Ауысу | н | |
Эон | Қосылу ауысу Жоғалту | Ауысу | 10.6 | Ауысу | МЖ | |
Еоф | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 25.8 | Ауысу | МЖ | |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=125oC | Ауысу | 193 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 54 | Ауысу | н | |
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу | 577 | Ауысу | н | |
Тф | Күз мезгілі | Ауысу | 113 | Ауысу | н | |
Эон | Қосылу ауысу Жоғалту | Ауысу | 16.8 | Ауысу | МЖ | |
Еоф | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 38.6 | Ауысу | МЖ | |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=150oC | Ауысу | 203 | Ауысу | н |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 54 | Ауысу | н | |
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу | 618 | Ауысу | н | |
Тф | Күз мезгілі | Ауысу | 124 | Ауысу | н | |
Эон | Қосылу ауысу Жоғалту | Ауысу | 18.5 | Ауысу | МЖ | |
Еоф | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту | Ауысу | 43.3 | Ауысу | МЖ | |
Ауысу еск | Ауысу SC деректері | tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V | Ауысу | Ауысу 1200 | Ауысу | Ауысу a) |
Ауысу
АуысуДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | ең көп. | бірлік |
Ауысу VF | Алға қарай диод кернеу | IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC | Ауысу | 1.65 | 2.10 | Ауысу v |
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC | Ауысу | 1.65 | Ауысу | |||
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC | Ауысу | 1.65 | Ауысу | |||
Qr | Алынған айыппұл | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC | Ауысу | 29 | Ауысу | μC |
IRM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 318 | Ауысу | a) | |
Ерек | Кері қалпына келтіру энергиясы | Ауысу | 18.1 | Ауысу | МЖ | |
Qr | Алынған айыппұл | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC | Ауысу | 55 | Ауысу | μC |
IRM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 371 | Ауысу | a) | |
Ерек | Кері қалпына келтіру энергиясы | Ауысу | 28.0 | Ауысу | МЖ | |
Qr | Алынған айыппұл | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=150oC | Ауысу | 64 | Ауысу | μC |
IRM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы | Ауысу | 390 | Ауысу | a) | |
Ерек | Кері қалпына келтіру энергиясы | Ауысу | 32.8 | Ауысу | МЖ |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ | параметр | Мин. | Тип. | ең көп. | бірлік |
LCE | Айналадағы индуктивтілік | Ауысу | Ауысу | 20 | nH |
RCC+EE | Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке | Ауысу | 0.35 | Ауысу | mΩ |
RthJC | Қосылым-қапшыққа (IGBT бойынша) Қаптамаға қосылу (диод бойынша) | Ауысу | Ауысу | 0.093 0.155 | К/W |
Ауысу RthCH | Корпус-Жылу алмасу (әр IGBT үшін) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Diode) Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша) | Ауысу | 0.016 0.027 0.010 | Ауысу | К/W |
м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті, бұранда M6 Монеттеу моменті, бұранда M6 | 2.5 3.0 | Ауысу | 5.0 5.0 | n.m |
g | Модульдің салмағы | Ауысу | 300 | Ауысу | g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
