IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

GD300SGT170C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

550

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

600

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

@ Т Ц =80 °C

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

2239

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Орнату Торк

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M6

1.1 дейін 2.0

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1700

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12,0 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

2.00

2.45

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.40

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

281

н

t R

Күтерілу уақыты

82

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

801

н

t F

Күз мезгілі

121

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

70.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

65.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R g =4.7Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

303

н

t R

Күтерілу уақыты

103

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

1002

н

t F

Күз мезгілі

203

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

105

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

94.0

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

26.6

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.11

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.88

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 1000 V, V КЕМ ≤1700В

1200

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.1

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =300A

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж =125 °C

1.90

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =300A,

V R = 900В,

R g =4.7Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

77

μC

t ж =125 °C

131

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

351

А

t ж =125 °C

383

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

40.0

МЖ

t ж =125 °C

72.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.067

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.124

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ Модуль

300

g