IGBT Модулі 1700V

Символ

сипаттама

GD300SGL170C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

460

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

600

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

2273

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасы

1.1 дейінАуысу2.0

Ауысу

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасы

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

Монументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

3.0-денАуысу5.0

Ауысу

g

салмағыАуысуМодуль

300

g

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1700

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.4

6.2

7.4

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.50

2.95

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

3.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

464

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

157

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

421

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

290

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

108

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

55.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=300A,Ауысуrg=4.7Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

483

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

161

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

465

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

538

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

128

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

83.7

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

20.4

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.72

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125℃,VАуысуCC=Ауысу1300АуысуV,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

960

Ауысу

Ауысу

a)

qg

Қақпалық төлем

vCC=900V,Ic=300A,АуысуvГЭ=-15Ауысу_ _ _ _ _ _ _ _+15В

Ауысу

2.4

Ауысу

μC

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.18

Ауысу

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.25

v

tj=125°C

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=300A,

vr= 900В,

rg=4.7Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

70.3

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

108

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

209

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

238

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

40.7

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

65.1

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

0.066

К/W

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

0.105

К/W

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

0.035

Ауысу

К/W