IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD300SGL120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

600

a)

300

iсм(1)

Импульстік коллекторлы керрен

600

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

600

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C

3000

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tj

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В, t=10ms, Tj=125°C

19000

a)2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

v

Ауысу

Қою моментi

Сигнал терминалыАуысуШраф:M4

1.Ауысу1-денАуысу2.0

n.m

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

Ауысу

орнатуАуысуШраф:M6

3АуысуүшінАуысу6

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=Ауысу12mA,Vлы=VГЭ,tj=25°C

5

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.9

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.1

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=300A,

Ауысу

90

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

rg=4.7Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15АуысуV,Ауысуtj=25°C

Ауысу

55

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

460

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,

rg=4.7Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15АуысуV,Ауысуtj=25°C

Ауысу

55

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

28

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

25

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,     rg=4.7Ω, VГЭАуысу=±15АуысуV,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

110

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

60

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

31

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

27

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлыАуысу=25В, f=1МГц,

vГЭАуысу=0В

Ауысу

21

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.9

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс, VГЭ=15АуысуV, Ауысуtj=125°C, VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

1300

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің жетек кедергісіе,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.18

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A

tj=25°C

Ауысу

2.0

2.4

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

2.2

2.5

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

Ауысу

if=300A,

vr=600В,

di/dt=-2400A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

27

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

50

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

120

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

170

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

9

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

20

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі)

Ауысу

0.06

К/W

rθЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша)е)

Ауысу

0.12

К/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

310

Ауысу

g